www.FoAr.ru - ФОрум АРсенала
www.FoAr.ru - ФОрум АРсенала
 Помощь      Поиск      Пользователи


 Страниц (24): [1] 2 3 4 5 6 7 8 9 ... » В конец  

> Описание: Продолжение
Evgeny Администратор
Отправлено: 30 Июня, 2010 - 15:00:06
Post Id


Администратор


Сообщений всего: 2394
Дата рег-ции: Нояб. 2005  
Откуда: Псков




Продолжение темы "Всяко-разно ".

-----
Евгений В.
 
 Top
Sunktor
Отправлено: 30 Июня, 2010 - 15:00:21
Post Id





Сообщений всего: 136
Дата рег-ции: Май 2010  




Я и
Sunktor пишет:
При токах от 100 ампер они конечно умрут не сразу, на несколько выстрелов хватит...

Тут я погорячился, если ток не будет превышать 200 ампер, то главное не допустить перегрева, при выходе за 200 ампер, уже будет иметь значение время этого выхода.
Извиняюсь.
 
 Top
ArtDen
Отправлено: 30 Июня, 2010 - 22:04:26
Post Id






Сообщений всего: 164
Дата рег-ции: Июнь 2010  




Evgeny, а зачем нужны стабилитроны перед базой транзистора в той вашей схеме? Что они дают?
И как насчёт скоростных характеристик того IGBT-транзистора, ссылку на даташит которого я приводил несколько сообщений назад? Я так понимаю, транзистор не особо быстрый. Пойдёт ли такая скорость для гаусса?
И вообще, кто-нибудь достаточно активно использовал IGBT-транзисторы в гауссе или всех просто останавливала их цена и более сложная схема?
 
 Top
Evgeny Администратор
Отправлено: 01 Июля, 2010 - 15:12:02
Post Id


Администратор


Сообщений всего: 2394
Дата рег-ции: Нояб. 2005  
Откуда: Псков




Стабилитроны защищают затвор транзистора от слишком высокого импульса напряжения, которое туда может просочиться с коллектора (через даже совсем маленькую ёмкость коллектор-затвор). Обычно, если на затвор подаётся управляющий импульс 15 Вольт, то стабилитроны ставят на 18 Вольт - так они не трогают сам 15-ти вольтовый импульс управления, но обрежут до 18 Вольт все возможные импульсные помехи. Затвор 18 Вольт выдержит и транзистору ничего не будет.

-----
Евгений В.
 
 Top
Evgeny Администратор
Отправлено: 01 Июля, 2010 - 15:30:09
Post Id


Администратор


Сообщений всего: 2394
Дата рег-ции: Нояб. 2005  
Откуда: Псков




ArtDen пишет:
Я так понимаю, транзистор не особо быстрый. Пойдёт ли такая скорость для гаусса?
IRG7PSH73K10 открывается примерно за 0.1 микросекунды и закрывается за 0.3 микросекунды. То есть для коммутации катушек ускорителя, где длительность импульса порядка сотен микросекунд, это вполне быстрый ключ.

-----
Евгений В.
 
 Top
Axon
Отправлено: 01 Июля, 2010 - 21:44:54
Post Id






Сообщений всего: 31
Дата рег-ции: Янв. 2008  
Откуда: Украина, Днепропетровск




Евгений, а если использовать схему косого полумоста, по идеи ключам будет легче, а выброс должен уйти через диоды обратно в конденсатор. + к этому более высокий КПД, ведь именно так сделан гаусс с самым высоким КПД в арсенале.
 
 Top
Evgeny Администратор
Отправлено: 01 Июля, 2010 - 22:29:30
Post Id


Администратор


Сообщений всего: 2394
Дата рег-ции: Нояб. 2005  
Откуда: Псков




Да, так и есть, полумост работает эффективно. Однако снабберы там тоже нужны, так как когда транзисторы закрылись, а диоды ещё не успели открыться, тоже происходит выброс ЭДС. Его длительность равна времени открытия диодов, то есть несколько десятков наносекунд. Если ничего не предпринять, этого хватит, чтобы транзисторы пробило. После открытия диодов ток в каушке полумоста спадает быстрее, чем в обычной схеме с обходным диодом без резистора. Это происходит потому, что конденсатор обычно разряжается за выстрел дишь немного (в многоступенчатой системе) и оставшееся на конденсаторе напряжение тормозит ток аналогично тому, как происходит при добавлении резистора к обходному диоду. Если скорость спада тока в полумосте окажется всё же слишком мала, можно и к диодам полумоста добавить резистор. Так выброс ЭДС на транзисторах, конечно, увеличится, зато ток быстрее спадёт (но часть энергии катушки потратится на резисторе, а не уйдёт обратно в конденсатор). Впрочем, это не такая и большая часть. То есть полумост содержит в два раза больше деталей, а выигрыш в КПД даёт не такой уж и большой. И выигрыш этот косвенный, энергия расходуется экономнее (за счёт возвращения её части в конденсатор), но пуля летит не быстрее. В системе с малым количеством ступеней ещё как-то можно закрывать глаза на удорожание всего устройства из-за применения двух транзисторов на каждую ступень, а там где ступеней много, получается слишком дорого. Кроме того, КПД растёт при снижении энергии ступени.

Рассмотрим ускоритель с пятью ступенями. Пусть всего у нас 100 Джоулей. Так, в каждую ступень затрачивается 20 Джоулей. Поставив пять транзисторов (по одному на ступень) получим пять ступеней со средним КПД, например, около 5 процентов (цифры условные). Итого на выходе получим из 100 Джоулей в конденсаторе 5 Джоулей в пуле.
Теперь изменим схему на полумост. Транзисторов стало теперь 10 штук вместо пяти. КПД каждой ступени не изменился, но после выстрела из 100 исходных Джоулей в конденсатор вернулось, например, 25 Джоулей. И для следующего выстрела в конденсатор нужно добавить не 100 Джоулей, а всего 75, то есть следующий выстрел авне стал. Как видим, число транзисторов удвоено, управлять верхним транзистором полумоста тоже не просто, всё стало сложнее и дороже, а эффект не такой хороший, как хотелось изначально.

Теперь изменим систему ещё раз. Оставим 10 транзисторов, но включим их не на пять ступеней полумостом, а на 10 обычных ступеней. В конденсаторе те же самые 100 Джоулей. Но ступеней теперь не пять, а десять. На каждую ступень тратится не 20 Джоулей, а всего 10 Джоулей. От такого снижения энергии ступеней вырастет КПД и в срднем составит не 5 процентов, а например, 8 процентов. И из 100 Джоулей конденсатора мы получим уже не 5, а 8 Джоулей в пуле. В этом случае транзисторов десять, как и в полумосте, но выигрыш более ощутим. Конечно, удвоилось и число катушек, и длина ствола. Но сделать 10 простых ступеней, на мой взгляд, всё же не так хлопотно, как 5 полумостов. И выигрыш в энергии пули и её скорости более предпочтителен, чем выигрыш во времени между выстрелами.

Так что я не могу сказать, что полумост - это обоснованный выбор. При этом, конечно, чистый (арифметический) КПД полумоста окажется выше, чем у всего остального.

-----
Евгений В.
 
 Top
Axon
Отправлено: 01 Июля, 2010 - 23:07:44
Post Id






Сообщений всего: 31
Дата рег-ции: Янв. 2008  
Откуда: Украина, Днепропетровск




Цитата:
Однако снабберы там тоже нужны, так как когда транзисторы закрылись, а диоды ещё не успели открыться, тоже происходит выброс ЭДС. Его длительность равна времени открытия диодов, то есть несколько десятков наносекунд.

Разве диоды Шоттки тоже под это попадают?
Цитата:
Рассмотрим ускоритель с пятью ступенями. Пусть всего у нас 100 Джоулей. Так, в каждую ступень затрачивается 20 Джоулей. Поставив пять транзисторов (по одному на ступень) получим пять ступеней со средним КПД, например, около 5 процентов (цифры условные). Итого на выходе получим из 100 Джоулей в конденсаторе 5 Джоулей в пуле.
Теперь изменим схему на полумост. Транзисторов стало теперь 10 штук вместо пяти. КПД каждой ступени не изменился, но после выстрела из 100 исходных Джоулей в конденсатор вернулось, например, 25 Джоулей. И для следующего выстрела в конденсатор нужно добавить не 100 Джоулей, а всего 75, то есть следующий выстрел авне стал. Как видим, число транзисторов удвоено, управлять верхним транзистором полумоста тоже не просто, всё стало сложнее и дороже, а эффект не такой хороший, как хотелось изначально.

Теперь изменим систему ещё раз. Оставим 10 транзисторов, но включим их не на пять ступеней полумостом, а на 10 обычных ступеней. В конденсаторе те же самые 100 Джоулей. Но ступеней теперь не пять, а десять. На каждую ступень тратится не 20 Джоулей, а всего 10 Джоулей. От такого снижения энергии ступеней вырастет КПД и в срднем составит не 5 процентов, а например, 8 процентов. И из 100 Джоулей конденсатора мы получим уже не 5, а 8 Джоулей в пуле. В этом случае транзисторов десять, как и в полумосте, но выигрыш более ощутим. Конечно, удвоилось и число катушек, и длина ствола. Но сделать 10 простых ступеней, на мой взгляд, всё же не так хлопотно, как 5 полумостов. И выигрыш в энергии пули и её скорости более предпочтителен, чем выигрыш во времени между выстрелами.

Но если у нас напряжение конденсатора 100вольт, в случае с полумостом мы можем использовать 2 ключа на 50 вольт(грубо говоря, без запаса по напряжению), а в случае с классическим ключ уже нужен на 100вольт.
 
 Top
Evgeny Администратор
Отправлено: 01 Июля, 2010 - 23:16:31
Post Id


Администратор


Сообщений всего: 2394
Дата рег-ции: Нояб. 2005  
Откуда: Псков




Axon пишет:
Цитата:
Однако снабберы там тоже нужны, так как когда транзисторы закрылись, а диоды ещё не успели открыться, тоже происходит выброс ЭДС. Его длительность равна времени открытия диодов, то есть несколько десятков наносекунд.

Разве диоды Шоттки тоже под это попадают?
Шоттки быстрые, но низковольтные. Если напряжение невысокое, можно и Шоттки применить.

-----
Евгений В.
 
 Top
Evgeny Администратор
Отправлено: 01 Июля, 2010 - 23:29:42
Post Id


Администратор


Сообщений всего: 2394
Дата рег-ции: Нояб. 2005  
Откуда: Псков




Axon пишет:
Но если у нас напряжение конденсатора 100вольт, в случае с полумостом мы можем использовать 2 ключа на 50 вольт(грубо говоря, без запаса по напряжению), а в случае с классическим ключ уже нужен на 100вольт.
Не знаю, насколько это применимо на практике. Один транзистор откроется (закроется) чуть раньше или позже - всё напряжение приложится ко второму. Правда, совсем не надолго, но я бы не стал на это полагаться. Все эти ключевые мощные транзисторы как-то очень не любят перегрузок по напряжению и выгорают "на ура". Наверное, можно поставить какие-то цепи для выравнивания напряжений на плечах полумоста. Если есть желание строить полумостовую схему, посмотрите схемы серийно выпускаемых сварочных инверторов. Среди них много полумостов и там как-то проблемы все эти решаются, однако при напряжении на конденсаторе 320 Вольт транзисторы в полумосте чаще применяют 600-Вольтовые.

-----
Евгений В.
 
 Top
Страниц (24): [1] 2 3 4 5 6 7 8 9 ... » В конец
« О койлганах (для общения) »


Все гости форума могут просматривать этот раздел.
Только администраторы и модераторы могут создавать новые темы в этом разделе.
Только зарегистрированные пользователи могут отвечать на сообщения в этом разделе.



ExBB FM 1.0 Beta by TvoyWeb.ru InvisionExBB Style converted by Markus®