| Sunktor |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:21:03 
|
Сообщений всего: 136
Дата рег-ции: Май 2010
|
Моё имхо.
С3,С2 великоваты, и не потому что для питания драйвера, а для нормальной работы стабилизаторов, которые сами по себе прекрасно держат токи до полутора ампер, и которым не рекомендуется ставить на выходе большие емкости, вполне достаточно 20-50 микрофарад и ставить их рядом с ножками питания драйверов непосредственно.
С1,С4 нормально
С5 тут вообще не верно, их нужно два, для каждого стабилизатора свой с объединением их на общей земле стабилизаторов, емкость для токов в 1-1.5 ампера около 4700 микрофарад, но поскольку все драйверы одновременно включать не нужно вроде, то их всего две и понадобиться как и стабилизаторов питания VR1,2
R9,10 нужны только для разряда С1-С4 после выключения питания, вполне достаточно R9 - 1.5 кОм, R10 - 510 Ом
R5,6 токоограничивающие и нужны для защиты драйвера от превышения максимального тока, их увеличение ведет к затягиванию процесса открывания силовых транзисторов, особенно это актуально для -5 вольт (то есть разряда емкости затвора), тут при таком питании для заряда оптимально 6 Ом для затвора одного транзистора (из соображений максимального пикового тока в 2.5 ампера) а для разряда 8 Ом (заряженный до 15 вольт затвор и -5 вольт), отсюда для перестраховки стоит выбрать 16 Ом резисторы в затворах обоих силовых тразисторов, это приведет к затягиванию фронтов, но что делать, ели управлять сразу двумя то только так.
R11,12 нужны только для разряда емкости затворов до включения питания и им достаточно 1-1,5 кОм
R14,15 и VD1,2 нахожу лишними, как и развязку земли, токи до 2 ампер не так уж велики да и нагрузка емкостная - затворы, никаких выбросов там не будет
ну и напоследок самое главное - обязательно поставить емкость в 0,1 микрофарады между 8 и 5 ногами драйвера как это во всех pdf-ках прописано. |
| |
|
| Sunktor |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:21:25
|
Сообщений всего: 136
Дата рег-ции: Май 2010
|
ПУЛЕМЕТ пишет:блин никто так и не обратил внимание на то что СХЕМА ДЛЯ ОДНОПОЛЯРОНОГО ПИТАНИЯ!
Ну как-же, я обратил, поэтому и сказал что конденсаторов по входу нужно два, иначе стабилизаторы займутся перетягиванием одеяла, да и в целом такое решение как развязать земли ради однополярного питания мне не нравится, да и не так уж они развязаны, резисторы R15,14 вобще спараллелены, зачем их два?
Звон, это понятие характерное индуктивностям, но там до затворов и рядом индуктивностей нет, сугубо емкостная нагрузка.
В общем к вышеприведенному комментарию мне добавить нечего, но питание все-таки лучше двухполярное. Да и в целом стабилизаторы не очень то нужны, ели питать от батарей, то питать от цепочки из 4 элементов по 4.2 вольта, причем отвод массы взять от нижней и второй батарей (4,2 вполне заменит -5, нам ведь важно только скомпенсировать падение на открытом переходе нижнего транзистора драйвера), остальные 3*4.2=12,6 для питания верхнего транзистора драйвера (ну или одну батарею на 12 вольт, как удобнее).
Нет ведь надобности точно получать 15 и -5 вольт.
Ну а если все-же питать от преобразователя например, то сделать дополнительный отвод от вторичной обмотки для двухполярного питания вроде как не проблемно...(Отредактировано автором: 15 Января, 2012 - 03:47:04) |
| |
|
| ArtDen |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:21:36
|
Сообщений всего: 164
Дата рег-ции: Июнь 2010
|
pashog пишет:А 34063 максимум 1А на выходе даёт Это ток ключа у него 1.5А. А ток на выходе гораздо меньше в том случае, если схема работает на повышение. Но в нашем случае это не принципиально.pashog пишет:
Кстати в ДШ на "SKHI 10/12 R" (это драйвер) показана схема параллельного включения ИГБТ и осцилограмы. Без балансиров!
Если ты подберёшь транзисторы так, чтобы у них было одинаковое падение напряжения между коллектором и эмиттером при нагрузке, то можешь смело подключать их коллекторы и эмиттеры параллельно. Но я бы не стал рисковать и просто добавил бы резисторы. |
| |
|
| pashog |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:21:47
|
Сообщений всего: 60
Дата рег-ции: Февр. 2011
Откуда: Беларусь, Минск
|
Баллансиры нужны для выравнивания напряжения на Б-Э переходе у биполярников, так как падение разное то можно первый еще не открыть, а второй уже открыт на полную и через него потечет весь ток. Причем резисторы должны ставится в Эмиттер.
А Мосфеты управляются напряжением, и отлично параллелятся без баллансиров, единственное что им нужно так это токоограничители на затвор.
На счёт Игбт не уверен, по этому и буду пробовать, по логике входные характеристики одинаковые, должно прокатить...
http://kit-e.ru/articles/powerel/2005_8_134.php это про параллельное включение ИГБТ.
У меня идея запараллелить 10-20 штук по 30А каждый стоимость 1 уе - итого 300А за 10уе. и это не в импульсе. "irg4bc30fpbf"(Отредактировано автором: 15 Января, 2012 - 23:52:54) |
| |
|
| fantom |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:21:58
|
Сообщений всего: 307
Дата рег-ции: Сент. 2006
|
pashog пишет:Баллансиры нужны для выравнивания напряжения на Б-Э переходе у биполярников, так как падение разное то можно первый еще не открыть, а второй уже открыт на полную и через него потечет весь ток. Причем резисторы должны ставится в Эмиттер.
В нашем случае в исток резистор ставить нельзя
И дело не в том что один открыт а другой нет.
Тут другой процесс допустим оба открыты, но у одного сопротивление чуть меньше чем у другого. В результате ток через него течёт больший и он сильнее греется, сильнее греется сильнее падает сопротивление(полупроводник) ток ещё больше растёт и всё каюк. И это пофиг какой транзистор биполярник мосфет игбт
Балансир уравнивает эти токи и может быть и сгорело у товарища потому что перегрузка по току двойная, а балансир маленький был.
pashog пишет:
А Мосфеты управляются напряжением, и отлично параллелятся без баллансиров, единственное что им нужно так это токоограничители на затвор.
На счёт Игбт не уверен, по этому и буду пробовать, по логике входные характеристики одинаковые, должно прокатить...
Флаг вам в руки... |
| |
|
| ПУЛЕМЕТ |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:22:09
|
Сообщений всего: 290
Дата рег-ции: Июнь 2011
Откуда: от верблюда
|
Цитата:В нашем случае в исток резистор ставить нельзя
И дело не в том что один открыт а другой нет.
Тут другой процесс допустим оба открыты, но у одного сопротивление чуть меньше чем у другого. В результате ток через него течёт больший и он сильнее греется, сильнее греется сильнее падает сопротивление(полупроводник) ток ещё больше растёт и всё каюк. И это пофиг какой транзистор биполярник мосфет игбт
именно это и важно. у разных типов транзисторов различные параметры по току и ВНЕЗАПНО различный принцип действия.
и если ты этого не знаешь то я настоятельно рекомендую изучить матчасть и не позориться!
тем более что только биполярники и IGBT при нагреве уменьшают своё сопротивление.
а вот полевики наоборот увеличивают!
только IGBT 4 поколения можно включать паралелльно без опаски. в них тоже реализована положительная температурная зависимость.
следует заметить что процесс нагрева инерционен и при недостаточной балансировке это может спалить транзистор. так называемый вторичный пробой многокристальных модулей когда один из кристалав перегревается и и берёт на себя большую часть тока.
в принципе такой пробой возможен и монолитном кристале.
лучше возьми и проверь на опыте! я пока не могу, платан проебал мою посылку.
 СВОЛОЧИ!
Отредактировано администратором: Evgeny, 17 Января, 2012 - 22:28:56
Лишняя ругань убрана |
| |
|
| fantom |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:22:20
|
Сообщений всего: 307
Дата рег-ции: Сент. 2006
|
ПУЛЕМЕТ пишет:
тем более что только биполярники и IGBT при нагреве уменьшают своё сопротивление.
а вот полевики наоборот увеличивают!
Я практически процитировал давно прочитанную статью по силовым полевым транзисторам.
И это именно те причины по которым трудно создать полевик на 100А или типа того. Статья была именно об этом.
Я допускаю конечно что с тех пор много воды утекло.
Отредактировано администратором: Evgeny, 17 Января, 2012 - 22:29:33
Лишняя ругань убрана |
| |
|
| Sunktor |
Отправлено: 28 Января, 2012 - 16:22:31
|
Сообщений всего: 136
Дата рег-ции: Май 2010
|
Все уже давно рассказано, только прочитать - http://www.google.com.ua/url?sa=...WUSQ&cad=rja
3.7 Параллельное и последовательное включение MOSFET, IGBT и SKiiPPACK
модулей:
В начале, основная часть тока проводиться транзистором с меньшей характеристикой
насыщения, у которого поэтому большие потери при коммутации и в открытом состоянии, и,
следовательно, быстрее будет расти температура перехода.
Поэтому, температурных коэффициент (ТС) напряжения насыщения играет решающее
значение. Если ТС положительный, т.е. если напряжение насыщения растет вместе с
температурой, ток будет сдвинут к транзистору, который пропускал меньший ток в начале. В
результате ток будет (идеально) ровно распределен между двумя транзисторами. Поэтому
силовые полупроводники с положительным ТС предпочтительней для параллельного
включения.
ТС NPT IGBT положителен почти во всем диапазоне номинальных токов. Это относится
и к RDSon MOSFET, которые имеют положительный ТС по принципу действия. В отличие от
них, ТС PT IGBT отрицателен почти во всем диапазоне номинальных токов. Здесь
немаловажна хорошая температурная связь между двумя модулями.
Прикреплено изображение
(Отредактировано автором: 17 Января, 2012 - 02:31:09) |
| |
|
|
www.FoAr.ru - ФОрум АРсенала » Открытый раздел » О койлганах (для общения) (Модератор: нет)
Без описания
