Evgeny  |
Отправлено: 11 Марта, 2007 - 07:09:40
|
Администратор
Сообщений всего: 2395
Дата рег-ции: Нояб. 2005
Откуда: Псков

|
SpyBot пишет:Titan пишет:А можно ли заменить в схеме IGBT транзистор на 1200В 6А на 1200В 45А(IRG4PH50KD)
ИМХО нет, т.к. у него очень большая емкость затвора и фронты получаться заваленные. Также у него слишком большое сопротивление в открытом состоянии. Если я правильно понял вопрос, то он был задан относительно схемы, где изначально должен стоять 6-ти амперный IGBT о возможной замене на 45-ти амперный IGBT. Наверное оба этих IGBT не очень отличаются по ёмкости да и падение напряжения на более мощном транзисторе не будет больше, чем на менее мощном. О какой схеме Titan ведёт речь, я не знаю, возможно о преобразователе Донни Джеймса (или подобном) - в нём вроде IGBT применялись (повышающий однотактный с дросселем). Такую схему делать - не очень удачная мысль, но если человек сильно хочет, пусть сделает. Применить в этой схемке IRG4PH50KD вместо 6-ти амперного транзистора - расточительно, да и непонятно зачем, но вполне можно.
А вот ставить IGBT туда, где должен был стоять полевой транзистор, конечно нельзя.
Тут я полностью согласен с SpyBot - лучше обратноходовой с полевым транзистором и трансформатором. А IGBT полезнее использовать в качестве ключа для управления катушкой. Тут ему как раз подходящее место, так как полевых транзисторов на такой ток и напряжение либо просто нету, либо очень-очень дорого.
----- Евгений В. |
|
|
|