www.FoAr.ru - ФОрум АРсенала
www.FoAr.ru - ФОрум АРсенала
 Помощь      Поиск      Пользователи


 Страниц (4): « 1 [2] 3 4 » 

> Описание: Продолжение
Eugen
Отправлено: 08 Ноября, 2007 - 12:15:18
Post Id





Сообщений всего: 35
Дата рег-ции: Дек. 2005  




Цитата:
Не всё так плохо. Этот график - область безопасной работы транзистора, иллюстрирует стойкость транзистора к сквозным токам в стойке. Это не наш случай. При классическом коммутировании боевой катушки этого режима не будет.
В гауссовом применении ИГБТ, главное, не превысить мах. температуру перехода. SpyBot прав: 100 А в течении 1 мс, 50-е ИГБТ держат. Успехов.


Данный график как раз и иллюстрирует нагрев кристалла до максимальной температуры в зависимости от режима использования транзистора. Ограничение здесь по мощности: Р = U*I = const, т.е. в линейной шкале это гипербола, в логарифмической - прямая линия, что мы здесь и видим. Для более полного представления надо смотреть графики зависимости переходного теплового сопротивления кристалл - среда (transient termal impedance), которые приведены в каждом даташите на мощные полупроводники.
 
 Top
SpyBot
Отправлено: 09 Ноября, 2007 - 00:35:16
Post Id





Сообщений всего: 116
Дата рег-ции: Дек. 2005  




Аха, только сгоревший за мс транзистор снаружи будет холодным Улыбка
 
 Top
Eugen
Отправлено: 09 Ноября, 2007 - 09:40:19
Post Id





Сообщений всего: 35
Дата рег-ции: Дек. 2005  




Все правильно. Потому что при кратковременных перегрузках нагревается только малая часть кристалла (активная область), в которой происходит основное рассеивание мощности. Например, для мощных полевиков с вертикальной структурой это канал в подложке между стоком и истоком и часть структуры под затворным диэлектриком.

Графики для переходного теплового сопротивления как раз это и иллюстрируют. При сокращении длительности импульса мощности, подаваемого на кристалл, допустимая мощность рассеяния растет, но только до определенных пределов. При длительностях импульса порядка десяти микросекунд происходит насыщение, которое обусловлено скоростью теплообмена между активной областью и всей структурой (кристалл+корпус), и при дальнейшем укорочении импульса допустимая мощность уже не повышается. Если бы этого эффекта не было и вся структура прогревалась мгновенно и равномерно, то можно было бы, например, взять транзистор с номинальным постоянным током 1 А и подать на него 1000 А в течение 10 мкс, чего в реальной жизни не бывает.
 
 Top
Llevellyn
Отправлено: 09 Ноября, 2007 - 18:23:58
Post Id





Сообщений всего: 97
Дата рег-ции: Авг. 2006  
Откуда: Пермь




Цитата:
SpyBot прав: 100 А в течении 1 мс, 50-е ИГБТ держат.
Так это ещё смотря сколько вольт. У меня 40-е по одной тоже держали 80А при 120В, а вот 5 штук запаралеленых сгорели от 180А 350В
 
 Top
SpyBot
Отправлено: 09 Ноября, 2007 - 21:26:34
Post Id





Сообщений всего: 116
Дата рег-ции: Дек. 2005  




Llevellyn пишет:
Цитата:
SpyBot прав: 100 А в течении 1 мс, 50-е ИГБТ держат.
Так это ещё смотря сколько вольт. У меня 40-е по одной тоже держали 80А при 120В, а вот 5 штук запаралеленых сгорели от 180А 350В

дык я же писал - 400В, иногда из-за глюков управления вобще через один транзистор сливалось 4-5 кондеров по 470мкФ Улыбка
имхо нельзя отвлеченно говорить только про транзистор, надо рассматривать всю схему, драйвер и т.д.

(Отредактировано автором: 09 Ноября, 2007 - 21:28:21)

 
 Top
W&G
Отправлено: 10 Ноября, 2007 - 00:15:32
Post Id





Сообщений всего: 15
Дата рег-ции: Июль 2007  
Откуда: Винница




Llevellyn пишет:
Так это ещё смотря сколько вольт. У меня 40-е по одной тоже держали 80А при 120В, а вот 5 штук запаралеленых сгорели от 180А 350В

Как зищищал их от выброса эдс самоиндукции?
 
 Top
Llevellyn
Отправлено: 10 Ноября, 2007 - 17:14:22
Post Id





Сообщений всего: 97
Дата рег-ции: Авг. 2006  
Откуда: Пермь




Цитата:
Как зищищал их от выброса эдс самоиндукции?
Так его небыло, т.к. я разряд не останавливал, всмысле транзисторы не закрывал
 
 Top
W&G
Отправлено: 10 Ноября, 2007 - 20:47:31
Post Id





Сообщений всего: 15
Дата рег-ции: Июль 2007  
Откуда: Винница




Куча нюансов. Может, время разряда было больше, чем им надо, управление некорректное, и т.д...
 
 Top
Llevellyn
Отправлено: 26 Ноября, 2007 - 16:15:12
Post Id





Сообщений всего: 97
Дата рег-ции: Авг. 2006  
Откуда: Пермь




Евгений, несколько вопросов по вашей схема V-switch:
1. Вы измеряли остаточное напряжение на конднсаторах после выстрела? Каким оно было?
2. Напомните, какие тиристоры вы использовали
3. Спусковой крючок у вас напрямую замыкал + аккумулятора на управляющий вывод тиристора, или было как-то по-другому?
Дело в том, что я, кажется, нашёл небольшую ошибку в схеме
 
 Top
Evgeny Администратор
Отправлено: 26 Ноября, 2007 - 17:48:21
Post Id


Администратор


Сообщений всего: 2394
Дата рег-ции: Нояб. 2005  
Откуда: Псков




Llevellyn пишет:
Евгений, несколько вопросов по вашей схема V-switch:
1. Вы измеряли остаточное напряжение на конднсаторах после выстрела? Каким оно было?
2. Напомните, какие тиристоры вы использовали
3. Спусковой крючок у вас напрямую замыкал + аккумулятора на управляющий вывод тиристора, или было как-то по-другому?
Дело в том, что я, кажется, нашёл небольшую ошибку в схеме

1. 300 Вольт
2. Т122-25-12 (1200 Вольт, 25 Ампер).
3. По-другому. При замыкании контакта спускового крючка через первичную обмотку импульсного трансформатора проходил импульс заряда небольшого конденсатора. Вторичная обмотка импульсного трансформатора подключена к управляющему переходу тиристора.
Более подробно здесь: Электромагнитный пистолет " Pskov 1100"

-----
Евгений В.
 
 Top
Страниц (4): « 1 [2] 3 4 »
« Составные части ЭМУ »


Все гости форума могут просматривать этот раздел.
Только администраторы и модераторы могут создавать новые темы в этом разделе.
Только администраторы и модераторы могут отвечать на сообщения в этом разделе.



ExBB FM 1.0 Beta by TvoyWeb.ru InvisionExBB Style converted by Markus®