| Eugen |
Отправлено: 08 Ноября, 2007 - 12:15:18 
|
Сообщений всего: 35
Дата рег-ции: Дек. 2005
|
Цитата:Не всё так плохо. Этот график - область безопасной работы транзистора, иллюстрирует стойкость транзистора к сквозным токам в стойке. Это не наш случай. При классическом коммутировании боевой катушки этого режима не будет.
В гауссовом применении ИГБТ, главное, не превысить мах. температуру перехода. SpyBot прав: 100 А в течении 1 мс, 50-е ИГБТ держат. Успехов.
Данный график как раз и иллюстрирует нагрев кристалла до максимальной температуры в зависимости от режима использования транзистора. Ограничение здесь по мощности: Р = U*I = const, т.е. в линейной шкале это гипербола, в логарифмической - прямая линия, что мы здесь и видим. Для более полного представления надо смотреть графики зависимости переходного теплового сопротивления кристалл - среда (transient termal impedance), которые приведены в каждом даташите на мощные полупроводники. |
| |
|
| Eugen |
Отправлено: 09 Ноября, 2007 - 09:40:19
|
Сообщений всего: 35
Дата рег-ции: Дек. 2005
|
Все правильно. Потому что при кратковременных перегрузках нагревается только малая часть кристалла (активная область), в которой происходит основное рассеивание мощности. Например, для мощных полевиков с вертикальной структурой это канал в подложке между стоком и истоком и часть структуры под затворным диэлектриком.
Графики для переходного теплового сопротивления как раз это и иллюстрируют. При сокращении длительности импульса мощности, подаваемого на кристалл, допустимая мощность рассеяния растет, но только до определенных пределов. При длительностях импульса порядка десяти микросекунд происходит насыщение, которое обусловлено скоростью теплообмена между активной областью и всей структурой (кристалл+корпус), и при дальнейшем укорочении импульса допустимая мощность уже не повышается. Если бы этого эффекта не было и вся структура прогревалась мгновенно и равномерно, то можно было бы, например, взять транзистор с номинальным постоянным током 1 А и подать на него 1000 А в течение 10 мкс, чего в реальной жизни не бывает. |
| |
|
| Llevellyn |
Отправлено: 09 Ноября, 2007 - 18:23:58
|
Сообщений всего: 97
Дата рег-ции: Авг. 2006
Откуда: Пермь
|
Цитата:SpyBot прав: 100 А в течении 1 мс, 50-е ИГБТ держат. Так это ещё смотря сколько вольт. У меня 40-е по одной тоже держали 80А при 120В, а вот 5 штук запаралеленых сгорели от 180А 350В |
| |
|
| SpyBot |
Отправлено: 09 Ноября, 2007 - 21:26:34
|
Сообщений всего: 116
Дата рег-ции: Дек. 2005
|
Llevellyn пишет:Цитата:SpyBot прав: 100 А в течении 1 мс, 50-е ИГБТ держат. Так это ещё смотря сколько вольт. У меня 40-е по одной тоже держали 80А при 120В, а вот 5 штук запаралеленых сгорели от 180А 350В
дык я же писал - 400В, иногда из-за глюков управления вобще через один транзистор сливалось 4-5 кондеров по 470мкФ 
имхо нельзя отвлеченно говорить только про транзистор, надо рассматривать всю схему, драйвер и т.д.(Отредактировано автором: 09 Ноября, 2007 - 21:28:21) |
| |
|
| W&G |
Отправлено: 10 Ноября, 2007 - 00:15:32
|
Сообщений всего: 15
Дата рег-ции: Июль 2007
Откуда: Винница
|
Llevellyn пишет:Так это ещё смотря сколько вольт. У меня 40-е по одной тоже держали 80А при 120В, а вот 5 штук запаралеленых сгорели от 180А 350В
Как зищищал их от выброса эдс самоиндукции? |
| |
|
| Llevellyn |
Отправлено: 10 Ноября, 2007 - 17:14:22
|
Сообщений всего: 97
Дата рег-ции: Авг. 2006
Откуда: Пермь
|
Цитата:Как зищищал их от выброса эдс самоиндукции? Так его небыло, т.к. я разряд не останавливал, всмысле транзисторы не закрывал |
| |
|
|
www.FoAr.ru - ФОрум АРсенала » Архив (только для чтения) » Составные части ЭМУ (Модератор: нет)
Описание: Продолжение
